НИЛ Полупроводниковые преобразователи" открыта в 1994 г. Она выполняет фундаментальные исследования в области конденсированного состояния вещества, связанные с изучением и применением свойств полупроводниковых материалов и структур в оптоэлектронике. Планы и задания НИЛ формируются на основе реестра Государственных программ МП ПМР:
1994-1998 г.г. Разработка технологии получения гетеропереходов nCdS-pCdTe на стеклянных подложках;
1999-2003 г.г. Разработка технологии получения фоточувствительных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As2S3-As2Se3 для оптоэлектронных устройств;
2004-2008 г.г. Физико-технологические исследования пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As2S3-As2Se3 для оптоэлектронных регистрирующих сред;
2009-2013 г.г. Физико-технологические исследования оптоэлектронных структур с малоразмерными частицами на основе полупроводниковых соединений системы CdS - ZnS.
За период существования НИЛ Полупроводниковые преобразователи" сотрудниками получены, кроме научных достижений аспирантского состава, новые результаты в научно-исследовательской работе, отмеченные положительными отзывами специалистов РФ, Украины, р.Беларусь, Молдовы.
- Разработана технология изготовления на основе пленочных поликристаллических гетеропереходов nCdS:In-pCdTe:As на стеклянных подложках солнечных элементов, преобразующих солнечную энергию в электрическую с К.П.Д.=7,8 %.
- Исследованы условия получения фоточувствительных гетероструктур GaAs - As2Se3 и на их основе созданы ПВМС типа фотополупроводник - жидкий кристалл", позволяющие регистрировать оптическую информацию с разрешением 120 лин/мм светом с длиной волны 0,85 мкм и мощностью сигнала 510-6 Вт/см2.
- Показана возможность создания на основе гетероструктур CdS-As2Se3 и Si-As2Se3 интегрально-оптических узлов, в которых CdS и Si служат фотоприемниками, а слоиAs2Se3 - тонкопленочными волноводами.
- Впервые теоретически и экспериментально обоснованы функциональные возможности нового класса позиционно-чувствительных фотоприемников, светоприемные элементы которых предложено изготавливать из низкоомных фотопроводящих слоев полупроводника с использованием нетрадиционной схемы расположения электрических контактов. Показано, что в зависимости от конструкции таких фотоприемников они позволяют фиксировать положение излучающего объекта по одной и двум координатам.
- Разработана технология и исследованы характеристики S - переключающих электрических элементов на основе толстых пленок CdTe:In. Установлено, что эффект переключения связан с механизмом теплового пробоя, и найден способ оптического управления его параметрами.
- Исследованы физические причины отказов базовых логических элементов микросхем на КМОП транзисторах при воздействии непрерывного рентгеновского излучения (60 кэВ) и установлен характер влияния схемотехнических и топологических решений на радиационную стойкость микросхем.
- Оптимизированы технологические условия получения однородных по составу и толщине фоточувствительных пленок ХСП системы (As2S3)x(As2Se3)1-x с подстилающим электродом Cu-Cr. Установлено, что их использование увеличивает почти в 10 раз фоточувствительность пленок ХСП как фотографических носителей оптической информации.
- Исследованы фотоэлектрические, фотографические и голографические характеристики фототермопластических носителей, изготовленных на основе фотопроводящей структуры SnО2-As2Se3-TIAsSe и термопластика из фотополимера карбазолэтилметакрилата с октилметакрилатом. Установлены оптимальные толщины инжекционного слоя As2Se3 , характерные для эффективной регистрирующей среды при записи голограмм с помощью He-Ne - лазера (ГЕН=633 НМ).
- Разработана и экспериментально реализована на имеющемся промышленном оборудовании технология бескорпусной сборки микросхем в микроэлектронных устройствах
Число опубликованных статей НИР в ведущих научных и рецензируемых журналах
- Число научных статей 23
- Число изобретений, защищенных Патентами и Авторскими свидетельствами 10
- Число Международных научных конференций (г. Москва, г. Санкт-Петербург, Иркутск, г. Саранск, г. Калуга, г. Ив.-Франковск, г. Черновцы,г. Одесса, г. Севастополь, г. Кишинев, г. Минск, г. Ульяновск и др., а так же США, Румыния, Китай, Мексика) 212
Научные доклады аспиранта Сорочан В.В. (научный руководитель: проф.Сенокосов Э.А.)
- Позизиционно-чувствительные фотоприемники на основе слоев nCdTe:In;
- О механизме электрического переключения S-типа в слоях nCdTe:In
на ХIII Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых Ломоносов-2006" были признаны лучшими в секции Физика" и отмечены Почетным дипломом Международной конференции.
Научный доклад аспирантки Мацковой Н.И. (научный руководитель: проф.Сенокосов Э.А.)
- Converter on the basis of film structure CdS – (ZnS)х (CdS)1-х, obtained by a method chemical pulverization;
на 2nd International conference on materials science and condensed matter physics, 21-26 September 2004, Chisinau 2004 был признан лучшим в секции Физика" и отмечен Почетным дипломом Международной конференции.
1.Список сотрудников, защитивших кандидатские диссертации:
Ишимов В.М. Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2S3)x(As2Se3)1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации. ПГУ им. Т.Г. Шевченко октябрь 2002
Фещенко И.С. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2S3)x(As2Se3)1-x, легированных металлами. . ПГУ им. Т.Г. Шевченко октябрь 2002
Сорочан В.В. Исследование условий получения и характеристики позиционно-чувствительных фотоприемников на основе слоев nCdTe:In. МГТУ им. Баумана 2009
2. Перечень статей НИР в ведущих научных и рецензируемых журналах
1. Гоглидзе Т.И., Дементьев И.В., Сенокосов Э.А., Ишимов В.М., Фещенко И.С. Фотоэлектрические свойства фототермопластического носителя на основе фотополимера с инжекционным слоем. В кн.: Люминесценция и сопутствующие явления." Труды IV всероссийской школы семинара (Иркутск, 19-23 октября 1998 г.) Под ред. проф. Е.Ф. Мартыновича –Иркутск: Изд-во Иркутского университета, 1999.- с.190-197.
2. Гоглидзе Т.И., Дементьев И.В., Сенокосов Э.А., Фещенко И.С. Характеристики сополимеров стирола и винил нафтолина как региструющих сред для фототермопластических носителей информации. В кн.: Люминесценция и сопутствующие явления." Труды IV всероссийской школы семинара (Иркутск, 19-23 октября 1998 г.) Под ред. проф. Е.Ф. Мартыновича –Иркутск: Изд-во Иркутского университета, 1999.-с.205-212.
3. Бурдиян И.И, Цирулик Л.Д., Фещенко И.С., Сенокосов Э.А. Теплопроводность и теплоемкость стеклообразного сплава TlAsSe2." Неорганические материалы. 2001. Т.37, № 8. С. 1-2.
4. Бурдиян И.И., Косюк В.В., Фещенко И.С.., Фещенко В.С. Фотодиффузия вольфрама в системе As2Se3–WO2 и ее использование для записи элементов компьютерной оптики. Компьютерная оптика. - 2001. № 22. - С. 72-74.
5. Ишимов В.М.., Дементьев И.В., Гоглидзе Т.И., Сенокосов Э.А. Технологические условия оптимизации оптоэлектронных параметров пленок стеклообразных полупроводников (As2S3)x•(As2Se3)1—x, получаемых на рулонной основе. Письма в Журнал технической физики. 2002 г., том 28, вып. 16, с. 7984.
6. Dement’ev I.V., Goglidze T.I. Technological Conditions for Optimization of the Optoelectronic Parameters of the (As2S3)x•(As2Se3)1-x Glassy Semiconductor Films on a Polymer Roll Base” Technical Physics Leetters, Vol. 28, No. 8, 2002, pp. 699-701
7. А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, В.В. Сорочан, Д.Е. Богинский, Л.В. Фещенко Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. Одесса №1 2003 с.49-51
8. А.А. Клюканов, Э.А. Сенокосов, В.В. Сорочан, Цирулик Л.Д. Двукоординатные фотодатчики на основе однородных проводящих полупроводниковых пленок" Журнал технической физики. 2003 г., том 73, вып. 5, с. 123125
9. Dementiev I.V., Kolesnik V.N., Kortyukova J.E., Matсkova N. Photoelectrical properties of GaAs – As2Se3 heterostructure. Moldavian Jurnal of the physical Sciences. v.2, №2, 2003
10. T.I. Goglidze, I.V. Dement’ev, V.M. Ishimov, Kortyukova Y.E., Matckova N.I, Senokosov E.A. Photoelectrical Properties of the Multilayer Structures on the Base of Chalcogenide Glass Semiconductors and its Application for Image Recording in IR-Diapason" Moldavian Jurnal of the physical Sciences. v.2, №2, 2003
11. Н. Барба, И. Дементьев, Т.И. Гоглидзе, Ю. Кортюкова, Ю. Коржа, С. Нямцу Электрические и деформационные свойства некоторых термопластических материалов, применяемых для фототермопластической записи (ФТПЗ)." Analele stiincifice ale USM. Seria Stiinte fizico-matematice, 2004, с. 86-89.
12. T.I. Goglidze, I.V. Dement’ev, Kortyukova Y.E., Matckova N.I, Converter of x-ray radiation on the basis of A2B6 - layers, obtained by a method chemical pulverization" APCOM’2004. Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics. Proceedings. Khabarovsk, Russia, 2004
13. T.I. Goglidze, I.V. Dement’ev*, Kortyukova Y.E., Matckova N.I, Converter of x-ray radiation on the basis of layers A2B6, obtained by a method chemical pulverization" Technology Transfer in Electronic Engineering, Multifunctional Materials and Fine Mechanics (Academia de stiinte a Moldovei, Agentia pentru inovare si transfer tehnologic). International. Workshop. 2005
14. Э.А. Сенокосов, В.В. Сорочан, Макаревич А.Л. Электрическая неустойчивость в слоях nCdTe:In с S –образными вольт-амперными характеристиками" Известия вузов. Физика. Томск №6. 2005 с. 28-30
15. Э.А. Сенокосов, В.В. Сорочан, Макаревич А.Л. Исследование механизма переключения в слоях nCdTe:In" “Известия вузов. Электроника”, № 6, 2005 г.- стр. 41-45
16. И.И.Бурдиян, В.В.Косюк, Р.А.Пынзарь, Э.А. Сенокосов Влияние примесей гольмия на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3 (As2Se3)0.7" Физика и техника полупроводников. 2006, том 40, вып.10 с.1250-1253
17. Т.И. Гоглидзе, И.В.Дементьев, В.М. Ишимов, Э.А. Сенокосов Зависимость основных физических свойств пленок стеклообразных полупроводников твердых растворов (As2S3)x•(As2Se3)1-x от скорости их термического напыления. Неорганические материалы, 2007, том 43, №1, с. 1-5
18. E.Pokatilov, D. Nica, N.Zincenco, S.Dmitriev, R. Lad, J. Vetelino, Senokosov E.A. Numerical Modeling of (As2S3)x-(As2Se3)1.x Thin Film Gas Sensor" In preparation for submission to Moldovan Journal of Physical Sciences 2007 р. 45-48
19. E.Pokatilov, D. Nica, N.Zincenco, S.Dmitriev, R. Lad, J. Vetelino, Senokosov E.A (As2S3)x-(As2Se3)x-1 Thin Films For Gas Sensing Applications" In preparation for submissiopn to Scientific Annals of Moldova State University 2007 р. 205-210
20. Дементьев И.В. Гоглидзе Т.И. Гуцул Т.Д Люминесцентные свойства композитов типа полупроводник-полимер" на основе сульфидов Cd и Zn" Studia Universitatis”, USM, № 7(47), 2011
21. Дементьев И.В. Гоглидзе Т.И. Задорожный А.П., Соболевская Р.Л Получение порошкообразных люминесцентных материалов на основе сульфидов Cd и Zn, синтезированных химическим методом" Studia Universitatis”, USM, № 7(47), 2011
3.Выступление с докладами на международных конференциях стран СНГ и стран дальнего зарубежья:
-Abstracts of Romorto ’97 Conference, Bucharest, Romania, 1997
-Third international school-conference:Physical problems in material science of semiconductors. Abstract booklet. Chernivtsi, Ukraine, 7lb-11lb, of September, 1999
-13 International simpozium electronic imaging 2001, San Jose, USA, 2001 – Report N 4296-26
-International conference on materials science and condensed matter physics. Abstracts; MSCMP 2001. Chisinau. July 57, 2001. P. 216.
-“Возобновляемые источники энергии”. /Материалы конференции IWRFRI’2001. (Санкт-Петербург, 28–30 мая, 2001 г.). – Санкт-Петербург: 2001. СПб. ГТУ, – С. 193.
-International Conference on Information technologies – 2002, Chisinau, 2002, P. 12.
-1st announcement for 6th Asia-Pacific conference APCOM , Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics Harbin, China, September 15 - 18, 2006, р.125-129
-3rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHYSICS OF ELECTRONIC MATERIALS PHYEM’08. Kaluga, Russia. October 1-4, 2008 Р.217-222
-International Conference on Information technologies – 2002, Chisinau, 2002
-International Conference on Information technologies – 2003, Chisinau
-IX Международная конференция МКФТТП – IX в г. Ивано-Франковск, 19-24 мая 2003
-IV международная научно- практическая конференция Современные информ. и электрон. технологии, 19-23 мая 2003 г., Одесса, Украина
-APCOM’2004. Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics. Proceedings. Khabarovsk, Russia, September 13-16, 2004
-NSTI Nanotech Conference, Anaheim, USA, May 8-12, 2005
-Конференция Методология и технологии образования в XXI веке" МИТ 2005, Минск, 2005г
- Конференция аспирантов и молодых ученых Ломоносов 2006" Москва МГУ, 12- 15 апреля 2006 года
-Материалы нано-микро-оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Сборник трудов 5-й Всероссийской молодежной научной школы, Саранск 3-6 октября 2006г
-Accepted for Poster Presentation at the 2007 NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, May 20-24, Santa Clara, (CA);
-Submitted to ILASS Americas 2007, May 15-18 , Chicago, (IL).
-International Conference Physics of Low Dimensional Structure" June 27-28, 2007, Chisinau, 2007,
-VII Региональная научная конференция Физика: Фундаментальные и прикладные исследования, образование, Владивосток 2007
-7 International Conference on Information technologies BIT– 2007, Chisinau, 2007
-Materialele expoziţei Iternaţionale INVENTICA 2007". Iaşi, Romania. 2007
-Научная сессия МИФИ – 2008
-I Всероссийская конференция ММПСН–2008 Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях
-Conferenta fizicienilor din Moldova CFM-2009 Chisinau.
-Conferenta fizicienilor din Moldova CFM-2009
-XI Конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПДММ - 2009) г. Владивосток 2009 года
-XI МЕЖДУНАРОДНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСИСТЕМЫ, Ульяновск 2009
-3 Международная конференция Телекоммуникации, электроника и информатика, Кишинев 2010
-XII Конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПДММ - 2010) г. Владивосток 2010 года
-Conferinţa ştiinţifică cu participare internaţională. 21-22 sept. 2011, Chişinău. Creşterea impactului cercetării şi dezvoltarea capacităţii de inovare
-Международная выставка Новое время" 22-24 сент. 2011, г. Севастополь, Украина
4.Внедрение НИР в учебный процесс:
1.Устройство для измерения оптических и фотоэлектрических свойств полупроводников, с применением ЭВМ – дисциплины Квантовая и оптическая электроника, Полупроводниковая оптоэлектроника
2.Устройство для вакуумного напыления группы полупроводниковых образцов в одном технологическом цикле – дисциплина Вакуумная и химическая технология слоев и пленочных структур
3.Устройство, сопряженное с ЭВМ, для определения деформационной способности термочувствительных материалов – дисциплина Технология материалов электронной техники
4.Макет устройства для автоматизации процесса записи малых деформаций в фототермочувствительных материалах с его выходом на ЭВМ – дисциплина Материалы и элементы электронной техники
5.Устройство синхронизации регистрирующих элементов (ФЭУ, фотодиоды) с компьютером на основе микроконтроллера для управления процессов записи основных характеристик носителей – дисциплина Квантовая и оптическая электроника, Полупроводниковая оптоэлектроника
6.Программное обеспечение с выходом на ЭВМ процесса записи элементарных голограмм на ФТПН и определения их дифракционной эффективности - дисциплина Квантовая и оптическая электроника, Полупроводниковая оптоэлектроника
7.Устройство для оптического зондирования полупроводниковых слоёв. – дисциплина Физика полупроводников
5.Патенты:
2.Патент ПМР №180 от 14 августа 2001 г. Бюллетень экономической и правовой информации. 2001г. – №9. Способ определения состояния биологического объекта. Ю.Н. Выговский, А.Н. Малов, С.Н. Пидгурский, Л.Д. Писларюк, Л.В. Фещенко, В.С Фещенко, Сенокосов Э.А
3.Патент ПМР № 214. Устройство для нанесения покрытий на подложки. Опубл.: Бюл. экон. и прав. информ. № 2, 2002 г. Дементьев И.В. Сенокосов Э.А. Ишимов В.М
4.Патент ПМР № 215. Фототермопластический носитель. Опубл.: Бюл. экон. и прав. информ. № 3, 2002 г. Дементьев И.В., Гоглидзе Т.И., Ишимов В.М., Кортюкова Ю.Е., Мацкова Н.И. ,Сенокосов Э.А., Цуркан Л.А.
5.Патент ПМР №250 от 18 июня 2003 г.Право и общество №3, 2003г. Бюллетень экономической и правовой информации. 2003г. – №9. Способ растрирования изображения в когерентном свете. О.А. Рогожникова, В.С Фещенко, Л.В. Фещенко, Сенокосов Э.А
6.Патент ПМР №252 от 18 июня 2003 г. Право и общество №3, 2003г. Бюллетень экономической и правовой информации. 2003г. – №9. Способ растрирования изображения в когерентном свете. О.А. Рогожникова, В.С Фещенко, Л.В. Фещенко, Сенокосов Э.А.
7.Патент ПМР № 262 от 02.10.2003 г. Право и общество. №1, 2004 г., Бюллетень экономической и правовой информации. №2, 2004 г. Способ контроля качества полупроводниковой пленки. Сенокосов Э.А., Сорочан В.В, Цирулик Л.Д.
8.Патент ПМР № 298 от 29.12.2004 г. Право и общество. №2, 2005 г. Способ отбора полупроводникового материала для тепловых переключающих элементов. Сенокосов Э.А., Сорочан В.В
9. Патент ПМР № 308 от 28.11.2005 г.Право и общество. №1, 2006 г. Способ изготовления фототермопластического носителя информации. Дементьев И.В., Гоглидзе Т.И., Ишимов В.М., Кортюкова Ю.Е., Мацкова Н.И.
10. Патент ПМР № 311 от 20.02.2006 г Способ изготовления носителя. . Дементьев И.В., Гоглидзе Т.И., Кортюкова Ю.Е., Мацкова Н.И. ,Сенокосов Э.А.
11. Патент №332, приоритет от 15.01.07 Преобразователь изображения. Опубл.: Бюл. экон. и прав. информ. № 3, 2007 г. Дементьев И.В., Гоглидзе Т.И., Кортюкова Ю.Е., Мацкова Н.И., Сенокосов Э.А., Мельник А.Д., Берил С.И |